[產業新知]SanDisk與Hynix計畫合資興建NAND工廠

據EE Times Europe報導， SanDisk與Hynix Semiconductor計畫合資興建工廠，開發與生產採用four-bit-per-cell x4技術的快閃記憶體產品；目前這兩家公司已經簽訂了相關技術的專利相互使用授權。這兩家公司將投資相同金額的資金，在Hynix的生產基地擴充產能。在 SanDisk以13億5000萬美元收購msystems公司之前，msystems與Hynix就已經在x4技術上有所合作。

Hynix 高階主管表示，透過雙方簽訂的專利使用授權，該公司與SanDisk將可專心研發x4技術；該公司期待這項結盟將可為雙方帶來利益。 SanDisk高階主管也表示，雙方簽訂的使用授權涵蓋Hynix與SanDisk之間的所有IP問題，也讓雙方都可以專注於極力擴大自身的商業機會。 Hynix之前與STMicroelectronics就已有一項NAND快閃記憶體的製造合資計畫在進行，將開始在中國採用70奈米程式生產4- Gbit與8G-bit元件。另外，Hynix在本周也解決了與Toshiba之間有關於DRAM與NAND技術的專利權爭議，雙方也簽訂了相互授權與產 品供應的協議。雙方之間協定的內容並未透露，但可能牽涉到Hynix對於Toshiba支付現金。